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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR价格参考￥24.11-￥48.57。Micron Technology IncMT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR封装/规格：存储器， FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 48-TSOP。您可以下载MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR 是美光科技（Micron Technology Inc.）生产的一款NAND闪存存储器，属于串行接口的SLC NAND类型，容量为1Gb（128MB），采用小型TSOP封装，适用于对空间和功耗敏感的应用场景。 该型号广泛应用于工业控制设备、嵌入式系统、网络通信设备（如路由器、交换机）、打印机、POS终端以及汽车电子系统等。由于其具备高可靠性、良好的温度适应性（支持工业级温度范围）和较长的数据保持时间，特别适合在严苛环境或需要长期稳定运行的设备中使用。 此外，该存储器常用于固件存储、启动代码存储和数据日志记录等任务，在需要低功耗和高耐用性的场合表现优异。其串行接口设计有助于减少引脚数量和PCB布局复杂度，适用于空间受限的设计。 综上，MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR 主要面向工业、通信和汽车等领域的嵌入式应用，是中低密度NAND闪存需求的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC FLASH 1GBIT TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-TSOP（12x20） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | 闪存 - NAND |
| 存储容量 | 1G（128M x 8） |
| 封装/外壳 | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | 闪存 |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | - |
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